SGM48522Q

量产

车规级

车规级，双路 5V、7A/6A 低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器

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SGM48522Q 是一款高速双通道低边驱动器，专为驱动 GaN 场效应晶体管（FET）和逻辑电平 MOSFET 而设计。其应用领域包括激光雷达（LiDAR）、飞行时间（ToF）、人脸识别以及使用低边驱动器的电源转换器。SGM48522Q 提供 7A 拉电流和 6A 灌电流的输出能力。分离输出配置能够根据 FET 单独优化开启和关闭时间。其倒装芯片 TQFN 封装和引脚排列最大限度地减少了寄生电感，从而缩短了上升和下降时间，并抑制了振铃。此外，2ns 的传播延迟以及最小的公差和变化使其能够在高频下高效运行。

该驱动器还具备内部欠压锁定和过热保护功能，可防止过载和故障事件的发生。

该器件符合 AEC-Q100 标准 (Automotive Electronics Council (AEC) Standard Q100 Grade 1)，适用于汽车应用。

SGM48522Q 采用绿色 TQFN-2×2-10AL 封装。

特性

符合 AEC-Q100 汽车应用标准，器件温度等级 1
TA = -40℃ 至 +125℃
5V 电源电压
7A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流
适用于 GaN 和 Si FET 的超快速低侧栅极驱动器
最小输入脉冲宽度：1ns
工作频率高达 60MHz
传播延迟：2ns（典型值）
上升时间：720ps（典型值）
下降时间：570ps（典型值）
保护特性：
- 欠压锁定 (UVLO)
- 过温保护 (OTP)
采用绿色 TQFN-2×2-10AL 封装

应用

汽车应用
激光测距系统 (LiDAR)
5G 射频通信系统
无线充电系统
GaN DC/DC 转换系统

订购信息

Part Number	Status	Package	Pins	Pd-Free	RoHS	REACH	Green	MSL Rating	Operating Temperature Range	Material Content	Reliability Report	Unit Resale Price* (Volume Range: in USD)	Lead Time** (Volume Range: Days)
SGM48522QTSV10G/TR	量产	TQFN-2×2-10AL	10	YES	YES	YES	YES	MSL1	-40℃ to +125℃	查看	查看	1-24 units : $6.3/unit 25-99 units : $5.4/unit 100-249 units : $4.5/unit 250-499 units : $3.6/unit 500-999 units : $3.15/unit 1000-9999 units : $2.34/unit	3K-9K : 14 days 10K-99K : 35 days 100K-999K : 70 days 1000K and above : 98 days

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